En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado. El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

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In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure intrinsic semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of semiconductor and the properties that it needs to have for its intended purpose. Lightly and moderately doped semiconductors are referred to as extrinsic semiconductors. A semiconductor doped to such high levels that it acts more like a conductor than a semiconductor is referred to as a degenerate semiconductor. In the context of phosphors and scintillators, doping is better known as activation.

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